當前位置：
| 品牌 | 產地 | 品名 | 型號 | 應用 |
| TRANSENE | 美國 | 鎳刻蝕液 | TFB | 標準鎳蝕刻液用于蒸鍍鎳薄膜 |
| TFG | 高純蝕刻液用于電沉積鎳薄膜，與銅、砷化鎵及其他三五族化合物相適應 | |||
| TYPE-1 | 高純蝕刻液用于鎳、鎳鐵合金及某些不銹鋼 | |||
| 金刻蝕液 | TFA | 高純度、低鈉、0.2um 過濾的蝕刻液可用于半導體和微電子領域，蝕刻金和鎳。 | ||
| TFAC | 選擇性的蝕刻液可用于砷化鎵及其他三五族金屬間化合物和半導體 | |||
| GE-8148 | 選擇性的蝕刻液可在鎳膜使用，較快的蝕刻速率。可消除在種子層快速的側向蝕刻。 | |||
| GE-8110 | 控制蝕刻速度，可在鎳膜使用。 | |||
| GE-8111 | 低pH 值，慢蝕刻速率，與鎳相適應。 | |||
| 金銀清洗液 | 使用蝕刻液前預清洗 | |||
| 鎳鉻刻蝕液 | TFN | 最小化的底切、優異的精細線條控制，一致化操作 | ||
| 銀刻蝕液 | TFS | 選擇性的銀蝕刻液，與負性及正性光刻膠相適合，用于薄膜微電子開發電路元件 | ||
| 鉻刻蝕液 | 1020 | 蝕刻速率快、最小化底切，適合于高精度光刻掩膜版蝕刻 | ||
| 1020AC | 蝕刻速率慢以消除底切，具有廣泛的相適性 | |||
| CRE-473 | 與銅、鎳、金以及鉬薄膜相適應 | |||
| CE-5M | 理想的高精度光刻掩膜版蝕刻液 | |||
| TFE | 用于鉻-硅薄膜，與銅薄膜相適應 | |||
| CE-8002-A | 鉻蝕刻液 CE-8002-A 是鈰銨/ 醋酸基蝕刻液，用于鉻基板蝕刻，蝕刻速度慢而沒有底切。通常室溫下蝕刻時間 20-60 秒。 | |||
| CE-8001-N | 鉻蝕刻液 CE-8001-N 是硝酸鈰銨/ 硝酸基蝕刻液，用于所有類型的鉻基板蝕刻，蝕刻速度由基板中鉻密度和工藝條件決定。通常室溫下蝕刻時間 15-55 秒。這種蝕刻液也有添加了表面活性劑的鉻蝕刻液 CE-8001-NS 供應 | |||
| 釕蝕刻液 | RU-44 | 釕蝕刻液 RU-44 是硝酸鈰銨/ 硝酸基蝕刻液，用于所有類型的 蒸鍍釕薄膜的蝕刻。蝕刻速度由基板中釕密度和工藝條件決定。通常室溫下蝕刻時間 15-55 秒。這種蝕刻液也有添加了表面活性劑的釕蝕刻液 RU-44S 供應。釕蝕刻液 RU-44 適合于亞微米光刻應用。如果需要快速蝕刻，鉻-陶瓷蝕刻液 TFE 可以使用 | ||
| 鋁刻蝕液 | TYPE-A | 標準鋁蝕刻液用于硅器件和其他微電子應用 | ||
| TYPE-D | 標準鋁蝕刻液用于砷化鎵、砷和磷化鎵器件以及鎳鉻電阻上鋁金屬化膜的制作 | |||
| TYPE-F | 鋁蝕刻液F 型是一種穩定的蝕刻液，可用于在硅器件上及集成電路應用中蝕刻鋁或鋁-硅金屬化膜。鋁蝕刻液 F 型具有獨特的性質可以很容易地克服許多在鋁蝕刻時遇到的問題如金屬殘留等 | |||
| 印刷電路板銅蝕刻液 | TYPE-100 | 用于浸沒式蝕刻 | ||
| TYPE-200 | 用于噴霧蝕刻技術 | |||
| APS-100 | 用于薄膜和印刷電路板 | |||
| TYPE-49-1 | 銅蝕刻液 49-1 是一種高純的、可控的蝕刻液，用于特殊微電子蝕刻如砷化鎵或銅。銅蝕刻液 BTP 可進行快速蝕刻，同時保持了鎳的相適性 | |||
| BTP | ||||
| 鈀蝕刻液 | TFP | 鈀蝕刻液 TFP 設計用于濺射、蒸鍍和非電鍍沉積薄膜蝕刻高分辨圖案輪廓，這些薄膜普遍用于硅片的鎳和金的金屬化薄膜的阻擋層 | ||
| EC | 鈀蝕刻液 EC 主要用于鈀基板的高精細電化學蝕刻，合金如鈀-銀也可很容易蝕刻。電化學蝕刻可在基板材料上精細、準確地蝕刻 | |||
| 鈦蝕刻液 | TFT | 設計用于蝕刻通常用做粘接和阻擋層的蒸鍍膜，優異的分辨率、光刻膠相適性以及最小化的底切 | ||
| TFTN | 主要用于蝕刻玻璃或二氧化硅基板上沉積的鈦薄膜，不含氫氟酸 | |||
| 鈦鎢蝕刻液 | TiW-30 | 鈦鎢蝕刻液TiW-30 適用于微電子制作中鈦-鎢粘接層的選擇性蝕刻液，可有效地蝕刻沉積在氮化硅或二氧化硅表面的鈦-鎢薄膜，具有優異的蝕刻精度和蝕刻速度控制，與正負性光刻膠廣泛的適應性 | ||
| 氧化鐵掩膜版蝕刻液 | ME-10 | 固體器件制作非常依靠使用光刻技術制備圖案. 標準蝕刻液 | ||
| ME-30 | 固體器件制作非常依靠使用光刻技術制備圖案. 節約成本的蝕刻液 | |||
| 鉬蝕刻液 | TFM | 用于半導體和微電子技術的鉬薄膜金屬化層的選擇性蝕刻液 |
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