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摻雜是將一定數量和一定種類的雜質摻入硅中，并獲得精確的雜質分布形狀，可用來改變晶片電學性質，實現器件和電路縱向結構。包含擴散、離子注入等方式。高溫擴散是利用高溫驅動雜質穿過硅晶體結構。離子注入是通過高溫離子轟擊，使雜質注入硅片，雜質通過與硅片發生原子級的高能碰撞，才能被注入。