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通常在晶片封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝過程稱之為晶片減薄。在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體積，改善芯片的熱擴散效率、電氣性能、機械性能及減小劃片的加工量。